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　　近日，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：芯元基半導(dǎo)體）宣布在Micro LED芯片研發(fā)上又取得重大進(jìn)展，全屏點(diǎn)亮了適合微顯示的5μm Micro LED 芯片陣列，成功研發(fā)出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片，突破了微顯示用Micro LED芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)。

　　? 5μm Micro LED芯片 8μm Pitch陣列全屏點(diǎn)亮實(shí)物圖

　　據(jù)芯元基半導(dǎo)體介紹，此次Micro LED 芯片陣列尚未鍵合到CMOS基板上，只是將所有陣列的8萬(wàn)多顆芯片以并聯(lián)形式供電，開(kāi)啟電壓為2.9V，在沒(méi)有任何電壓補(bǔ)償?shù)那闆r下，也就是每個(gè)芯片在相同電壓的情況下亮度均勻性已達(dá)到人眼觀看無(wú)色差感的程度。芯元基Micro LED產(chǎn)品性能的優(yōu)越性，源自于芯元基多年研發(fā)積累的特有襯底技術(shù)、外延技術(shù)和芯片技術(shù)的融合體現(xiàn)。

　　在此之前，芯元基半導(dǎo)體剛于本月初宣布通過(guò)其獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DPSS襯底技術(shù)、側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)和化學(xué)剝離藍(lán)寶石襯底技術(shù)成功開(kāi)發(fā)出了10-50μm的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片。

　　據(jù)了解，芯元基的側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)可以把GaN外延層中的位錯(cuò)密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且還可以控制位錯(cuò)的位置，將Micro LED陣列安排到?jīng)]有位錯(cuò)的位置，解決困擾行業(yè)的不均性問(wèn)題。

　　同時(shí)，芯元基獨(dú)創(chuàng)化學(xué)剝離藍(lán)寶石襯底技術(shù)，與行業(yè)現(xiàn)有的激光剝離藍(lán)寶石襯底技術(shù)相比，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)100%的剝離良率，而且對(duì)GaN，特別是InGaN量子阱無(wú)損傷，在規(guī)模化量產(chǎn)后具備較明顯的成本優(yōu)勢(shì)。此外，化學(xué)剝離藍(lán)寶石襯底技術(shù)還與現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)有非常好的兼容性，可以利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓臨時(shí)鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)巨量轉(zhuǎn)移。

　　在Micro LED芯片結(jié)構(gòu)上，芯元基半導(dǎo)體利用溝槽結(jié)構(gòu)取代了常規(guī)的臺(tái)面結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了P電極和N電極的等高，解決了驅(qū)動(dòng)背板上的焊點(diǎn)和芯片電極高度不匹配的問(wèn)題。據(jù)芯元基介紹，其芯片工藝保證了芯片只有一個(gè)具有納米粗化結(jié)構(gòu)的出光面，芯片的四周及其底部具有相應(yīng)的反射結(jié)構(gòu)，解決了顯示光串?dāng)_問(wèn)題的同時(shí)，進(jìn)一步提高顯示亮度。

　　據(jù)透露，芯元基半導(dǎo)體的Micro LED芯片可應(yīng)用于車(chē)載顯示、AR/VR等顯示領(lǐng)域，目前，產(chǎn)品已給面板廠(chǎng)家送樣，并拿到了研發(fā)用訂單。