JOLED是日本OLED面板制造公司，由Sony、松下、JDI和日本產業機構在2015年1月合并而成，自其成立開始，便帶有濃厚的神秘色彩。在16年9月舉辦的國際會議「International Conference on Flexible and Printed Electronics（2016年9月6～8日、山形大學）」上，JOLED公司的負責人對JOLED的現狀和未來發展規劃進行了詳細的解說。
JOLED的OLED技術
OLED成膜技術類型
OLED面板發光層的成膜技術分為RGB打印、白光蒸鍍和RGB蒸鍍三種（圖1所示），其中RGB蒸鍍需要使用高精細度的金屬Fine Mask，適合智能手機等小尺寸面板的量產，而白光蒸鍍不使用Fine Mask，適合大尺寸面板的量產，但是白光OLED面板需要使用Color Filter對白光進行過濾，會導致3／4光的損失，使面板的色純度與發光效率成為一對矛盾的參數。
圖1 OLED成膜技術比較（JOLED提供資料）
目前大多數OLED面板公司都采用蒸鍍技術，但蒸鍍制程需要真空環境和金屬Mask，特別是RGB蒸鍍的方式，對金屬Mask的精度要求很高，制造難度較大。另外，蒸鍍制程還存在TS距離、均勻性、材料利用率等問題。
打印技術的特征
RGB噴墨打印是指在大氣環境下將RGB材料分別打印在基板上的技術，與蒸鍍技術不同，打印技術有很多優點：
不需要真空環境，設備投資較少，保養維護也較為容易；
不需要mask，基板也不用面向下放置，生產大尺寸面板較容易；
使用溶劑型材料，材料很難噴濺到其他地方，材料利用率很高，有利于量產的成本節約；
噴頭通用性強，基板stage尺寸允許的情況下，設備能對應不同尺寸的基板；
換線和保養時間短，能有效縮短生產節拍，提高生產效率。
目前JOLED正在開發RGB三種顏色的打印技術，期望以其較高的生產效率來彌補蒸鍍技術的不足。但是打印使用的有機材料信賴性較差，為此JOLED特別制定了相應的改善措施（如圖2所示）。從器件、制程、材料和設備的觀點出發，JOLED認為亮度和壽命是首先要解決的問題，制定了問題改善的路線圖（如圖3所示）。
圖2 打印技術的改善對策（JOLED提供資料）
圖3 打印技術改善路線圖（JOLED提供資料）
對于器件的亮度，JOLED以其2013年時做到的值為基準（一倍），今年已經做到了兩倍，預計2018年可以做到三倍。目前打印技術的研究所在京都，但從2016年開始轉移到石川縣，在那里建立一條4．5代（730mm×920mm）量產線，用于300PPI以上精細度打印OLED面板的量產。
背板技術
OLED與LCD不同，需要能通過大電流的TFT來做驅動，a－Si（非晶硅技術）因為載流子遷移率太低，不適合做OLED的驅動。目前適合作為OLED驅動的TFT器件有LTPS（多晶硅技術）和IGZO（金屬氧化物技術）。
其中LTPS技術在大面積多晶硅形成上尚有一些問題需要克服，而且整體生產成本較高，而IGZO技術的載流子遷移率雖然不及LTPS技術，但對于OLED也足夠用了，其最大的優點就是在大面積生產時薄膜的均勻性較好，生產成本也相應較低。目前JOLED主要開發IGZO技術，但同時也在開發新的TFT制造技術。
IGZO TFT
對IGZO性能的要求，大致可以分為以下6項（圖4所示）。
圖4 IGZO TFT的性能要求（JOLED提供資料）
（1）光罩道數
光罩道數不對設備投資、光罩數量等這些無塵室相關項目有很大的影響，對成品良率影響也很大。因此，各家公司都想以盡可能少的光罩道數來實現高性能、高良率的TFT器件。JOLED的TFT技術是其前身之一的Sony開發的整合型頂柵極構造。
（2）載流子遷移率
OLED的驅動類型為電流驅動，驅動能力與載流子遷移率成正比，對于高精度和高開口率的面板來講，必須使用高遷移率的TFT驅動。但是IGZO的載流子遷移率比LTPS要低，而且只能實現N型構造，無法制造出Si CMOS之類的MOS管結構，因此IGZO還存在周邊電路功耗的問題。
（3）信賴性
圖5表示的是IGZO TFT的特性，可以看出基板面內特性的均一性。一般來說，濺射法使用的靶材容易有消耗不均勻的問題，會導致基板面內薄膜沉積的不均勻，最終使TFT特性在基板面內有偏差。圖5中有Biasstress的測試結果，考慮到實際使用的情況，在光照射下的測試也是必要的。
圖5 IGZO TFT的特性
（4）基板尺寸
對于大尺寸基板來講，IGZO技術比LTPS技術節省制造成本。不同世代都存在一個最佳產品尺寸，所以對于不同世代來講IGZO和LTPS沒有可比性，但從投資角度來講，相同基板尺寸下IGZO的生產成本較低。另外對于模組成本來說，IGZO與LTPS沒有太大的區別。
（5）生產性
IGZO制程較LTPS簡單，在制造上來講生產性會高一些。
（6）均一性
為了保證大面積內特性的均一性，除了膜厚以外，氧化物半導體的元素比例也需要精確控制（4種元素），成分控制與堆積速度是一對相互制約的參數，需要找出折中的最適合的值。
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