發光二極體(
自311核災后，日本消費者為節能，大量采購
然而，目前商品化的氮化鎵(GaN)半導體光電元件皆以藍寶石(Sapphire)與碳化硅(SiC)基板為主，為能取代現有照明產品，效率及成本是各家廠商戮力的目標，也因此，近年來GaN on Si挾帶著大尺寸低成本優勢，逐步挑戰GaN on Sapphire的地位;另一方面，GaN on GaN則挾帶著高效能及可大電流操作的優勢，逐步嶄露頭角。現階段美國Sorra更已推出以c-plane GaN基板為主的商品，未來，結合整體GaN on GaN的優點再搭配基板成本的下降，預期2015年將有機會取代LED照明方案。
受惠于技術上的突破，氮化鎵已有非常多的晶向面可做為
不受晶格常數不匹配影響 GaN on GaN效率穩定
目前氮化鎵系列的發光層以氮化鎵和氮化銦鎵(InGaN)材料為主，此種發光二極體因缺乏與基板晶格匹配的基板，一般皆將此材料磊晶成長(Epitaxial Growth)于藍寶石基板上。
然而，由于異質磊晶成長之薄膜和基板之間因晶格常數彼此不匹配，而造成氮化物薄膜中產生極高的缺陷密度(約109~1010cm-2)，進一步導致LED發光效率下降，圖1(a)~ (c)分別為藍光LED發光層成長于藍寶石基板與氮化鎵基板之AFM量測圖，其量子井厚度分別為2.7奈米、6奈米和15奈米，可發現到發光層成長在藍寶石基板上存在著許多的缺陷，隨著發光層厚度逐漸增厚，洞的尺寸逐漸變大。
圖1 不同藍光發光二極體之量子井厚度(a) 2.7nm、(b) 6.0nm、(c)15.0nm之成長在藍寶石和氮化鎵基板之AFM圖
反觀在氮化鎵基板上，盡管厚度達到15奈米其表面仍無缺陷存在，圖2為GaNon GaN發光層TEM剖面量測圖，量子井厚度為15奈米下，其量子井與量子能障間之接面仍非常平整，發光層有相當好的品質，從XRD分析繞射峰波對于半波高寬的數值更可估算出量子井接面處的粗糙度，在GaN on GaN上只有大約8%，而GaN on Sapphire為46.0%(圖3)。
圖2 藍光發光二極體成長在氮化鎵基板之發光層TEM剖面圖
圖3 (0002)面之MQW on藍寶石和GaN基板之XRD分析圖
接著，制作15密爾(mil)×15密爾傳統mesa-type元件，在200毫安培(mA)電流量測下(圖4)，當GaN on Sapphire之量子井厚度超過6奈米，LED效能下降的非常快，而GaN on GaN LED僅些微下降，這代表著可以利用厚的量子井結構來提升量子井里的單位載子密度，有助于降低Auger效應，提升大電流下的LED效能。再者，從不同發光層對數搭配不同量子井厚度實驗中，亦可發現此現象(圖5)，如GaN on Sapphire的總量子井厚度存在一上限值，當超過此數值時LED效率將會下降，反觀GaN on GaN效能仍可以維持一定值之效率。
圖4 不同量子井厚度于藍寶石和GaN基板上之LED效率圖
圖5 不同量子井之對數和厚度于藍寶石和GaN基板上之LED效能圖
屬同質生產材料 GaN on GaN避免極化場效應
傳統GaN on Sapphire除晶格不匹配所造成的缺陷以外，還存在著晶格不匹配所引起的極化場效應，反觀GaN on GaN是屬于同質成長的材料，可降低晶格常數不匹配所引起的極化場效應，改善量子效率下降之問題，圖6可發現到生長GaN on Sapphire和GaN on GaN上的E2(High)之值在569.52奈米和567.16奈米，其中GaN on Sapphire上較大的數值是因為殘留的壓應力所造成;而GaN on GaN上的數值與單純GaN基板相同，代表著并無應力存在GaN磊晶薄膜里。
圖6 拉曼分析圖
圖7為波長對于不同電流注入之曲線圖，當注入電流增加時候會造成遮蔽效應(S
圖7 不同電流下之EL波長位移量測圖
圖8 電子電流密度模擬曲線圖
圖9為相對外部量子效率對于電流注入曲線圖，在連續電流注入下，LED on GaN的峰值會出現在20?40mA下，之后隨著電流上升而開始下降;LED on Sapphire的峰值則小于20mA，隨著電流上升而快速下降。在300mA電流下，LED on Sapphire和LED on GaN的外部量子效率對于峰值為56%和73%，較大的LED on GaN的峰值是因為較佳的材料品質所造成;在300mA電流下，LED on GaN有38%的提升是因為材料品質提升和較小的極化場效應所造成。
圖9 LED on sapphire和LED on GaN在連續電流和脈沖電流下之相對外部量子效率量測圖
而在脈沖量測模式下，LEDonGaN的特性并無太大差異，去除掉熱效應可提升300mA電流下之效能達76%;而LED on Sapphire卻只有12%提升，這也意味著LED on Sapphire存在較嚴重的熱效應，當使用脈沖量測情況下，忽略熱效應的影響因此提升LED on Sapphire之效率，這也代表著GaN基板本身除了高品質和同質成長之優點，更有高散熱系數之優點可在大電流下操作。
可做為N型導電基板 GaN on GaN利于制作垂直結構
GaN on GaN有著極大的優點在于其基板本身可為N型導電基板，有利于制作垂直型結構，省略傳統在藍寶石基板上制作垂直型結構時所要用到的雷射剝離制程，可避免制程繁瑣、機臺昂貴且良率不高之缺點;再者，氮化鎵基板背面為N-face面，可利用濕蝕刻制程簡單制作出角錐結構，以提升光萃取率，此制程對于氮化鎵基板效率提升來說相當的重要。
由于基板本身的背景摻雜濃度關系，在可見光部分透光率無法達到100%，加上氮化鎵材料與空氣間的折射系數差異，造成大部分的光都以全反射方式跑回材料本身，無法有效萃取出來，因此將氮化鎵基板N-face表面制作出幾何圖案，將有助于提升LED發光效率。
圖10為不同蝕刻時間對于氮化鎵N-face表面蝕刻情形，當蝕刻時間越久所造成的角錐大小將會越大，且密度越低。圖11為室溫EL量測圖和電壓和效率曲線圖，ST-LED和RB-LED為不使用和使用濕蝕刻制程之樣品，LEDI和LEDII為405nm和450nm之發光波長，當使用濕蝕刻制程于氮化鎵基板上，可提升光萃取率并進一步提升LED效率，此效應在短波長特別的顯著，在20mA電流下，近紫外光和藍光整體提升的幅度為94%和21%。
圖10 (a)未蝕刻、蝕刻、(b)1min、(c)5min、(d)10min、(e)30min和(f)60min之氮化鎵基板N-face表面之SEM量測圖
圖11 (a)室溫EL量測圖和(b)LED光電特性量測圖
n-pad金屬制作于基板 GaN on GaN縮短磊晶時間
除上述所提到的GaN on GaN的高效率的表現之外，另一大的優點為磊晶時間上的縮短。傳統上，磊晶生長LED on Sapphire上，往往需要基板烘烤的時間、低溫緩沖層及厚度4微米以上的GaN磊晶薄膜生長時間，整體的升降溫和成長時間約需2.5?3.5小時;反觀LED on GaN，可直接將n-pad金屬制作于氮化鎵基板上，因此只要直接生長所需要的量子井層即可(圖12)，不管是mesa-type、覆晶型或著垂直型皆相同，也因此，不須生長厚的氮化鎵磊晶薄膜，在腔體成長完后，所進行的烘烤時間和腔體維護成本上，都有大幅度的下降。
圖12 LED on sapphire(左)與LED on GaN(右)結構示意圖
盡管GaN on GaN擁有相當多的優點，但目前仍受限于基板價格過于昂貴之缺點，導致無法大量的商品化及墊高廠商的進入門檻，因此整體市場的切入時機點，將取決于上游基板廠商價格下降速度。所幸，受惠于各家基板廠商技術上的突破，越來越多廠商有能力制作和提供氮化鎵基板，GaN on GaN的時間將會更提早的來臨。
就技術上來看，LED on Sapphire已發展10年以上，累積相當多的經驗和結構，且都已有眾多商品化產品推出，反觀GaN on GaN仍在實驗室的階段，在未來商品化的過程中，仍有許多瓶頸須克服，就技術而言，包含鋁和銦溶入率、矽和鎂摻雜活化率;各磊晶層對應基板缺陷和極化場降低所導致的結構上改變;基板N型摻雜對于Ga-face和N-face歐姆接觸問題;以及基板本身殘留的內應力所導致晶粒研磨和切割問題等，仍須研究團隊投入心血去解決。
GaN on GaN發展潛力十足
目前工研院已成功建立高溫常壓磊晶機臺，更已在GaN on GaN技術上深耕多年，從早期的HVPE氮化鎵基板成長到目前的藍紫光LED磊晶技術，技術面皆已突破現今GaN on Sapphire之效率。在未來，就成本面觀之，透過縮短磊晶和烘烤腔體的時間、降低腔體維護成本、可大電流操作之優勢和垂直型結構之制作成本等，搭配氮化鎵基板成本下降之趨勢，GaN on GaN將是一個深具潛力的明日之星。
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