傳統的氮化鎵（GaN） 但是，硅襯底的問題在于與GaN之間在機械和熱力方面嚴重不匹配，這會導致構成LED元件的晶圓出現嚴重翹曲和晶體材料質量變差。現在，劍橋大學衍生公司CamGan（2012年被Plessey收購）的硅基GaN技術已解決了此類不匹配問題，且已成功應用于其位于英國普利茅斯的晶圓加工廠。由此，業界首款低成本、入門級別的商用硅基GaN LED現正處于上市階段。初級產品主要面向指示燈和重點照明市場，其光效為30-40lm/W，今年三、四季度將會推出70 lm/W的產品，供應給更多通用照明市場。
圖1：垂直LED生產流程圖。
GaN on Si Growth：硅基氮化鎵生長
Mirror layer added：增設的鏡像圖層
Wafer：使用晶圓
Flip bonded wafer：倒裝鍵合晶片
Substrate removal：襯底去除
Metallisation and surface texturing：噴涂金屬層和表面紋理
采用硅襯底生產LED需要一些工藝步驟來克服架構中固有的硅材料吸收光問題并制造出高效的元件。在晶圓加工工藝中（如圖1所示），在GaN架構（基于6"的硅晶圓，通過
接著是焊線，在鑄造焊接層時，采用導電和導熱易熔金錫層（重熔點溫度約為280℃）與其他金屬層一起，以作為焊接金屬和元件或替代品之間的載體。焊線完成后，去除親本晶圓，將用于GaN層外延生長的晶種層露出來。翻轉晶圓進行下一步的LED元件圖案化處理。在晶圓上將金屬涂層圖案化，并置于阻擋層之上，使發光區覆蓋量最小化。大部分電流會由頂部金屬（通常為2m）傳送。最后，進行光萃取圖案化，蝕刻到GaN層（曝露在焊線后面）內，去除親本晶圓。最后一步對于遠程
由于GaN半導體的反射指數很高（445nm藍光的反射指數約為2.45），因此只有很少的光逃逸到自由空間。根據Snell法則，其窄光逃逸錐大概為25°。若我們假定半導體內部發的光有一致的空間分布，并且反射鏡反射指數大于90%，那么只有8%的總體光線可以從半導體頂部表面逃逸出去，其他的被全內反射限于內部，并最終被組分材料吸收。
為改進光萃取，采用了一個包含將半導體耦合至一個大的穹形透鏡（其半徑比半導體發光區尺寸大1.5倍）的簡單設計方案。理想情況下，穹形透鏡應由反射指數（n~2.45）跟GaN近似的材料做成，這使得超過90%的光逃逸至自由空間。
但實際上，不存在與GaN反射指數匹配且具有高成本效益、可做成穹形透鏡的材料，因此LED制造商們通常轉而使用容易獲得的反射指數為1.5左右的環氧膠或硅材料。不過，添加反射指數為1.5的穹形透鏡，僅使光萃取率達到12%。為克服因全內反射所導致的弱光萃取性能，有必要優化光線的光學路徑，以增加其出現在逃逸錐內的可能性。
大部分傳統高成本效益的高效光萃取方式基于表面粗糙度技術而確定。這種表面技術極為關鍵，因為它限定LED元件最終光線有角度的發出。這非常適用于遠程熒光粉應用，尤其可實現藍光LED發光圖案控制。其他方式的圖案化反射器被用于散射光線，可進一步改進光萃取。在本質上類似的微架構中，諸如螢火蟲，螢火蟲內部架構的鋸齒狀可增強發光強度。
大多數LED會在一個空間格局內發射光，且其中光的強度隨出射角余弦值的變化而變化，呈現出標準的朗博分布。當這些標準LED用在一個數組中以形成照明配線盤時，光的傳播就會形成一些不在期望范圍內的異常發光點圖案（如圖2所示），我們將其稱為“熱點”。在圖2中，LED的亮度一直保持在較低水平，以幫助說明這一問題。
圖2：現有的照明配線盤示例。
為萃取光線并形成更加均勻的空間格局，為消費者呈現更加美觀的效果，LED發出的光線不應呈朗博分布，而是呈蝙蝠翼狀分布。這樣，光照就可以達到更廣的邊側區域，從而最大限度地提高熒光粉的泵送效率，并通過改進的藍光轉換來降低損失。實現這一目標后，配備了這種照明配線盤的LED之間的間距可以設置地更大，最終降低所需
據估計，該光路萃取工程可節約10%的能源，若所需LED的數量減少，還可節約裝配成本。而LED數量是否減少將取決于所產生的光強度圖案的電平。若LED數量減半，則可在光線呈良好蝙蝠翼狀分布的同時，維持或改進熒光粉中的亮度變化。光路設計可以通過細致的表面圖案化和壓印來完成，在設計過程中使用了電腦仿真技術，以達到優化空間布局和光萃取的目的。
將低成本硅基GaN技術與LED設計方案中的光萃取技術相結合，就有可能利用最佳的低功率LED陣列配置設計出高成本效益的防眩光燈具。
“智能照明系統”將繼續把LED技術應用至擁有傳感器和用戶界面的系統中，而不僅僅是為了實現節能的目的。在開展環境光監控以實現更高的能源使用效率、更佳用戶檢測甚至最大的光通信潛力等實例中，利用高轉換能力的LED來傳輸數據。
原文作者：Samir Mezouari
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