1、引言
作為電子元器件，發光二極管(LightEmittingDiode-led)已出現40多年，但長久以來，受到發光效率和亮度的限制，僅為指示燈所采用，直到上世紀末突破了技術瓶頸，生產出高亮度高效率的LED和蘭光LED，使其應用范圍擴展到信號燈、城市夜景工程、全彩屏等，提供了作為照明光源的可能性。隨著LED應用范圍的加大，提高LED可靠性具有更加重要的意義。LED具有高可靠性和長壽命的優點，在實際生產研發過程中，需要通過壽命試驗對LED芯片的可靠性水平進行*價，并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質量，為此在實現全色系LED產業化的同時，開發了LED芯片壽命試驗的條件、方法、手段和裝置等，以提高壽命試驗的科學性和結果的準確性。
2、壽命試驗條件的確定
電子產品在規定的工作及環境條件下，進行的工作試驗稱為壽命試驗，又稱耐久性試驗。隨著LED生產技術水平的提高，產品的壽命和可靠性大為改觀，LED的理論壽命為10萬小時，如果仍采用常規的正常額定應力下的壽命試驗，很難對產品的壽命和可靠性做出較為客觀的*價，而我們試驗的主要目的是，通過壽命試驗掌握LED芯片光輸出衰減狀況，進而推斷其壽命。根據LED器件的特點，經過對比試驗和統計分析，最終規定了0.3×～0.3mm2以下芯片的壽命試驗條件：
[1].樣品隨機抽取，數量為8～10粒芯片，制成ф5單燈;
[2].工作電流為30mA;
[3].環境條件為室溫(25℃±5℃);
[4].試驗周期為96小時、1000小時和5000小時三種;
工作電流為30mA是額定值的1.5倍，是加大電應力的壽命試驗，其結果雖然不能代表真實的壽命情況，但是有很大的參考價值;壽命試驗以外延片生產批為母樣，隨機抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封裝成ф5單燈器件，進行為96小時壽命試驗，其結果代表本生產批的所有外延片。一般認為，試驗周期為1000小時或以上的稱為長期壽命試驗。生產工藝穩定時，1000小時的壽命試驗頻次較低，5000小時的壽命試驗頻次可更低。
3、過程與注意事項
對于LED芯片壽命試驗樣本，可以采用芯片，一般稱為裸晶，也可以采用經過封裝后的器件。采用裸晶形式，外界應力較小，容易散熱，因此光衰小、壽命長，與實際應用情況差距較大，雖然可通過加大電流來調整，但不如直接采用單燈器件形式直觀。采用單燈器件形式進行壽命試驗，造成器件的光衰老化的因素復雜，可能有芯片的因素，也有封裝的因素。在試驗過程中，采取多種措施，降低封裝的因素的影響，對可能影響壽命試驗結果準確性的細節，逐一進行改善，保證了壽命試驗結果的客觀性和準確性。
3.1樣品抽取方式
壽命試驗只能采用抽樣試驗的*估辦法，具有一定的風險性。首先，產品質量具備一定程度的均勻性和穩定性是抽樣*估的前提，只有認為產品質量是均勻的，抽樣才具有代表性;其次，由于實際產品質量上存在一定的離散性，我們采取分區隨機抽樣的辦法，以提高壽命試驗結果準確性。我們通過查找相關資料和進行大量的對比試驗，提出了較為科學的樣品抽取方式：將芯片按其在外延片的位置分為四區，分區情況參見圖一所示，每區2～3粒芯片，共8～10粒芯片，對于不同器件壽命試驗結果相差懸殊，甚至矛盾的情況，我們規定了加嚴壽命試驗的辦法，即每區4～6粒芯片，共16～20粒芯片，按正常條件進行壽命試驗，只是數量加嚴，而不是試驗條件加嚴;第三，一般地說，抽樣數量越多，風險性越小，壽命試驗結果的結果越準確，但是，抽樣數量越多抽樣數量過多，必然造成人力、物力和時間的浪費，試驗成本上升。如何處理風險和成本的關系，一直是我們研究的內容，我們的目標是通過采取科學的抽樣方法，在同一試驗成本下，使風險性下降到最低。
3.2光電參數測試方法與器件配光曲線
在LED壽命試驗中，先對試驗樣品進行光電參數測試篩選，淘汰光電參數超規或異常的器件，合格者進行逐一編號并投入壽命試驗，完成連續試驗后進行復測，以獲得壽命試驗結果。為了使壽命試驗結果客觀、準確，除做好測試儀器的計量外，還規定原則上試驗前后所采用的是同一臺測試儀測試，以減少不必要的誤差因素，這一點對光參數尤為重要;初期我們采用測量器件光強的變化來判斷光衰狀況，一般測試器件的軸向光強，對于配光曲線半角較小的器件，光強值的大小隨幾何位置而急劇變化，測量重復性差，影響壽命試驗結果的客觀性和準確性，為了避免出現這種情況，采用大角度的封裝形式，并選用無反射杯支架，排除反射杯配光作用，消除器件封裝形式配光性能的影響，提高光參數測試的精確度，后續通過采用光通量測量得到驗證。
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