即使三星電子最近被採用Exynos系列處理器之行動(dòng)裝置產(chǎn)品疑似存在著安全漏洞問題搞的烏煙瘴氣，但在邁向14奈米製程技術(shù)之路一樣沒有任何懈怠。繼格羅方德半導(dǎo)體以及英特爾后，三星也向外界宣布採用14奈米製程技術(shù)之行動(dòng)晶片測試成功，該行動(dòng)晶片不管是針對動(dòng)態(tài)功耗以及漏電率方面皆有明顯改善。
三星提到目前14奈米FinFET比起32/28奈米的高介電常數(shù)金屬閘極（HKGD）製程，已經(jīng)大幅改善先前SoC晶片之漏電率以及動(dòng)態(tài)功耗的問題。也代表三星極有可能會在往后推出的行動(dòng)處理器中採用ARM big.LITTLE處理技術(shù)和14奈米製程技術(shù)，相信可以預(yù)見效能更強(qiáng)大的行動(dòng)處理器將會縮短問世時(shí)間。而三星也協(xié)同其他伙伴（Synopsy、ARM、Cadence、Mentor）進(jìn)行多種晶片測試之Tape Out。
14nm Cortex-A7處理器的順利Tape Out也代表三星在14奈米製程技術(shù)的重大突破。三星同時(shí)發(fā)佈製程技術(shù)之產(chǎn)品開發(fā)套件，讓其他客戶能夠針對14奈米FinFET測試晶片進(jìn)行模型設(shè)計(jì)以及其他產(chǎn)品設(shè)計(jì)之用。除此之外三星更與ARM共同簽訂有關(guān)14奈米製程技術(shù)與IP庫的合作協(xié)議，并成功研發(fā)了14奈米技術(shù)的測試處理器晶片。更與其他的合作伙伴一起完成了ARM Cortex-A7處理器、ARM big.LITTLE設(shè)置以及SRAM晶片的研發(fā)測試工作。
還記得三星于今年年中才斥資19億美元來建立一條新的邏輯晶片生產(chǎn)線，新生產(chǎn)線將採用300mm晶圓、20/14奈米製程技術(shù)，加大邏輯晶片的產(chǎn)量，以滿足智慧型手機(jī)和平板電腦行動(dòng)處理器日漸增長的大量需求。以及表示會在近期之內(nèi)將會開發(fā)出內(nèi)建big.Little省電配置的Exynos處理器，雖然還必須等到2014年才能達(dá)到可用的水準(zhǔn)，但相信未來行動(dòng)處理器的效能很快就能跟上PC處理器的腳步。
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